韩国三星近日在先进半导体技术领域方面展现出强劲的信心，该公司高层对其2纳米GAA（Gate-All-Around）制程的发展进度表达高度乐观。竞争对手SK海力士（SK hynix）企业总裁Song Hyun-jong也强调，这项制造技术将成为一个“关键的转折点”。目前，2纳米GAA制程技术的芯片量产已于9月下旬启动，首款采用此技术的芯片为即将问世的三星自研SoC-Exynos 2600。
根据朝鲜日报报道，在总统办公室政策首席Kim Yong-beom主持的一场关于半导体产业议题的会议中，三星设备解决方案部门总裁兼首席技术官Song Jae-hyuk对2纳米GAA制程给予极多正面的评价。相较于前几年，三星芯片代工业务表现不佳，使台积电攻占了市场大部分比率情况，目前看来三星终于有所转变。报告指出，三星已将其2纳米GAA的良率目标，从原定的50%大幅提高至70%，并且预计在2025年底完成。
报引导用一位接近知情的人士说法表示，这些在高层会议上发布的言论可以被解读为：三星正顺利实现其规划的2纳米制程良率和芯片性能目标。Song Jae-hyuk在会议中暗示了其雄心壮志，希望借由2纳米GAA节点的成功，最终能在全球芯片代工市场上夺取第一名。不过，他也坦言，在追赶台积电以及应对特定技术与人力资源等挑战时，公司需要政府提供庞大的支持。
另外，三星表示，为确保其在下一代节点中的竞争力，已付出了必要的努力。包括，三星已经完成了第二代2纳米GAA制程的基本设计。同时，代号为SF2P+ 的第三代2纳米GAA制程，也预计在未来两年内完成开发。
至于，三星首款采用2纳米GAA技术的芯片将是三星自研的SoC-Exynos 2600。初步的内部测试结果显示，Exynos 2600的性能表现非凡。它在多项测试中轻松击败了竞争对手苹果的A19 Pro，以及高通的Snapdragon 8 Elite Gen 5。更值得注意的是，测试数据揭示其AI性能比A19 Pro和Snapdragon 8 Elite Gen 5高出六倍。不过，虽然商业化产品的实际结果可能有所不同，但业界普遍期望三星的2纳米GAA技术能够带来实质性的效益。
(首图来源：三星)
